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作者:佚名      发布时间:2021-05-27      浏览量:0
光吸收范围窄等问题导致电池效率仍然较低。电池效率在很大程度上依赖于钙钛矿薄膜的相纯度、晶粒尺寸和电荷萃取动力学,这些因素共同决定了太阳能电池内部的载流子复合。金属卤族钙钛矿半导体材料在太阳能电池,光二极管,传感器和其它光电器件的应用中表现出

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光吸收范围窄等问题导致电池效率仍然较低。电池效率在很大程度上依赖于钙钛矿薄膜的相纯度、晶粒尺寸和电荷萃取动力学,这些因素共同决定了太阳能电池内部的载流子复合。金属卤族钙钛矿半导体材料在太阳能电池,光二极管,传感器和其它光电器件的应用中表现出了显著的优良特性。零维的量子点钙钛矿结构不仅具有更高的钙钛矿相稳定性,还具更广泛钙钛矿材料的离子可调控性。全无机钙钛矿太阳能电池由于其优异的热稳定性,在最近几年备受关注。但是由于其带隙宽,能量损失大,限制了光电转换效率的提升。界面工程是降低能量损失,提高器件性
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能的重要手段。PbS量子点由于其制备工艺成熟、易大规模生产、可溶液法加工、在可见-近红外宽光谱区间(0.41-1.6eV)内带隙可调,且具备多激子吸收等特性,成为了近年来备受关注的新型光伏材料.然而,目前PbS量子点太阳能电池常见的异质结型结构基于n型ZnO量子点和p型PbS量子点堆积而成(图1).电子传输层对于钙钛矿太阳能电池载流子的抽取与传输起着至关重要的作用,氧化锡由于其优异特性被作为电子传输层广泛应用于正式平板钙钛矿太阳能电池中。而目前制备氧化锡薄膜的工艺方法无法满足大面积、自动化等工业
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需求,新的工艺手段亟待被发掘。化学浴法沉积硫化镉薄膜作为缓冲层目前已经广泛应用于薄膜太阳能电池的制备。然而,化学浴沉积法(CBD)会造成大量的有害废料,特别是Cd2+的利用率通常只有2%,限制了其工业应用的价值。电子传输层(ETL)材料的能带结构、电子迁移率和电子陷阱状态等对钙钛矿太阳能电池(PSC)的性能影响至关重要。然而,常规高温制备的TiO2ETL不利于降低生产成本和实现器件柔性化,而低温制备的TiO2(L-TiO2)由于具有更多的缺陷态,其电学性能往往不佳,不利于器件的电子传输[1]。硫
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化锑(Sb2S3)是一种价格低廉、环境友好、物相单一的半导体光电材料,带隙为1.73eV,吸光系数达105cm-1,其薄膜太阳能电池具有巨大的应用潜力.同时,在叠层结构中,Sb2S3的带隙与硅电池完美匹配,有利于促进下一代硅电池的发展.有机无机杂化钙钛矿作为一种具有离子特性的直接带隙半导体,因其卓越的光电性能以及可溶液法制备等优点,得到了广泛的研究关注.近十年来,基于界面优化以及组分调控等手段,钙钛矿太阳能电池的光电转换效率突飞猛进,从3.8%迅速发展到目前25.2%的认证效率[1],被视为最具